NT-C18 Plus的性能優(yōu)勢(shì)

• *的鍵合和封尾技術(shù)，堿性化合物峰形好
• 柱效高、質(zhì)量穩(wěn)定性好
• 內(nèi)置Odreams^®技術(shù)保護(hù)柱，使用壽命長(zhǎng)
• 主要用于堿性化合物等容易拖尾的樣品分析

NT-C18 Plus設(shè)計(jì)原理

液相色譜分析中堿性化合物峰形拖尾是一種非常普遍、常見的現(xiàn)象，究其原因是由于色譜柱內(nèi)填料中的殘余硅羥基引起的。殘余硅羥基是在填料鍵合的過程中產(chǎn)生，且由于立體效應(yīng)無(wú)法*消除，是硅膠基質(zhì)色譜柱不可避免的負(fù)面影響。殘余硅羥基具有弱酸性，在流動(dòng)相中存在一定成都的電離，形成Si-O^–負(fù)離子，而帶氨基的堿性化合物在流動(dòng)相中易形成氨基正離子-H₃N⁺、-RH₂N⁺或-R₂HN⁺，正負(fù)離子之間的相互吸引力較強(qiáng)，比液相分析中起主要作用的分子間作用力大得多，由于靜電吸引力是近程作用力，只有相對(duì)較少的樣品分子能與殘余硅羥基的Si-O^–負(fù)離子相互作用，因此在色譜分離過程中，少量樣品分子保留能力變強(qiáng)，出峰滯后，由此產(chǎn)生了譜圖中的峰形拖尾。

殘余硅羥基是引起樣品峰形拖尾的主要原因。液相方法中通常通過調(diào)整流動(dòng)相的pH、在流動(dòng)相中加入三乙胺、辛烷磺酸鈉、四丁基溴化銨等試劑用于改善峰形，其原理都是抑制殘余硅羥基的Si-O^–負(fù)離子與氨基正離子的靜電作用，從而達(dá)到改善峰形的目的。譜寧科技對(duì)NT-C18的設(shè)計(jì)原理亦是如此，通過從填料源頭上消除殘余硅羥基，阻礙二者的靜電作用以改善拖尾，殘余硅羥基沒有了，自然也就不會(huì)與樣品分子產(chǎn)生次級(jí)保留作用，因而抑制了峰形拖尾，改善峰形、提高柱效。

Pntulips^® NT-C18 Plus性能參數(shù)